絶縁膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000106282
Publication number (International publication number)：2001291714
Application date： Apr. 07, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】欠陥のないIII族窒化物薄膜/絶縁膜を形成する。【解決手段】III族窒化物薄膜52を成長させた後、ドーパントの分子線を停止させ、代わりに雰囲気中に炭化水素ガスを導入し、炭素が添加されたIII族窒化物薄膜から成る絶縁膜53を形成する。更に、炭化水素ガスの導入を停止し、III族元素を含む分子線と共にドーパントとなる分子線を発生し、絶縁膜53表面にIII族窒化物薄膜54を形成する。絶縁膜53がIII族窒化物薄膜の構造であるので、絶縁膜53とIII族窒化物薄膜52、54の界面が乱れず、欠陥が生じない。

Claim (excerpt)：

III族窒化物薄膜のエピタキシャル成長中の雰囲気に炭化水素ガスを導入し、炭素が添加されたIII族窒化物薄膜から成る絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。

IPC (10)：

H01L 21/314 , C30B 23/08 , C30B 29/38 , H01L 21/203 , H01L 27/10 451 , H01L 27/12 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/80 , H01L 43/08

FI (14)：

H01L 21/314 A , C30B 23/08 M , C30B 29/38 D , H01L 21/203 M , H01L 27/10 451 , H01L 27/12 S , H01L 27/12 D , H01L 43/08 Z , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 615 , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 618 B , H01L 29/80 Z

F-Term (58)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DA09 , 4G077DA15 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA06 , 4G077SC02 , 4G077SC12 , 5F040DA01 , 5F040DA21 , 5F040EB11 , 5F040EB12 , 5F040ED03 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BE10 , 5F058BF20 , 5F058BH20 , 5F058BJ10 , 5F083FZ10 , 5F083HA10 , 5F083PR22 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F103AA04 , 5F103BB08 , 5F103DD01 , 5F103DD02 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103KK01 , 5F103KK10 , 5F103LL20 , 5F103PP14 , 5F103PP18 , 5F103RR06 , 5F110AA12 , 5F110AA26 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-345406 Applicant：古河電気工業株式会社
窒化物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-178606 Applicant：古河電気工業株式会社
絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-235336 Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Semi-insulating C-doped GaN and high-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by ammonia molecular

Return to Previous Page