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J-GLOBAL ID：201103090004190150

半導体装置の製造方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  門島 勝 ,  鈴木 孝明 ,  村田 康彦 ,  平谷 正彦
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001382944
Publication number (International publication number)：2002353216
Patent number：3931647
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Claim (excerpt)：

【請求項1】 シリコン単結晶基板上に素子分離領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン単結晶基板を収納する成膜室に前記ゲート絶縁膜の形成の最初に還元溶剤を有するガスを供給して還元処理を行う還元処理工程を有し、該還元処理工程後に前記ゲート絶縁膜を形成する有機金属を有するガスと酸素反応ガスとを前記成膜室前で混合して前記還元溶剤のガスを有する前記成膜室に供給して化学気相成長法による成膜工程によって前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 成膜・改質集合装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-130258   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 誘電体層形成のための方法及び装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-553633   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 酸化物積層構造の製造方法および有機金属化学気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-264484   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-341717   Applicant：ソニー株式会社