GaN系化合物半導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007227905
Publication number (International publication number)：2007335899
Patent number：4541389
Application date： Sep. 03, 2007
Publication date： Dec. 27, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】充填容器内に少なくとも一部が液相に他の部分がガス状態になるように充填されたアンモニアを、基板を収容した反応室内に前記充填容器から直接ガス状態で取り出してから導入し、このアンモニアを原料として、バッファ層とn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を前記基板上に形成するGaN系化合物半導体の製造方法であって、充填容器内の液相アンモニア中の水分濃度を、フーリエ変換赤外分光法(FT-IR)による測定で0.01volppm以上、0.5volppm以下とすることを特徴とするGaN系化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , C01C 1/02 ( 200 6.01) , C23C 16/34 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/205 , C01C 1/02 E , C23C 16/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

アンモニア中の水分の除去方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-334099 Applicant：大陽東洋酸素株式会社
化合物半導体エピタキシャルウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-282524 Applicant：昭和電工株式会社
ステンレス鋼及びその製造方法並びに減圧装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-004165 Applicant：大見忠弘, 三菱商事株式会社

Show all

Return to Previous Page