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J-GLOBAL ID:201103093024396942

誘電膜およびそれを用いたトランスデューサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 進藤 素子 ,  東口 倫昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009220429
Publication number (International publication number):2011072112
Application date: Sep. 25, 2009
Publication date: Apr. 07, 2011
Summary:
【課題】 体積抵抗率を低下させずに、比誘電率が大きい誘電膜を提供する。また、耐絶縁破壊性、電場応答性に優れたトランスデューサを提供する。【解決手段】 誘電膜は、エラストマーと、該エラストマーよりも比誘電率が大きく該エラストマーと結合可能な極性化合物と、を含むエラストマー組成物を架橋した架橋体からなる。該架橋体において、該極性化合物は、該エラストマーにグラフト結合されている。この誘電膜を、少なくとも一対の電極間に介装して、トランスデューサを構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
トランスデューサにおいて少なくとも一対の電極間に介装される誘電膜であって、 エラストマーと、該エラストマーよりも比誘電率が大きく該エラストマーと結合可能な極性化合物と、を含むエラストマー組成物を架橋した架橋体からなり、 該架橋体において、該極性化合物は該エラストマーにグラフト結合されていることを特徴とする誘電膜。
IPC (6):
H02N 11/00 ,  C08L 101/02 ,  C08L 101/12 ,  H04R 19/02 ,  H04R 19/04 ,  C08J 5/18
FI (6):
H02N11/00 Z ,  C08L101/02 ,  C08L101/12 ,  H04R19/02 ,  H04R19/04 ,  C08J5/18
F-Term (32):
4F071AA12 ,  4F071AA13 ,  4F071AC04 ,  4F071AF05 ,  4F071AF37 ,  4F071AF40 ,  4F071AH12 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4F071BC17 ,  4J002AC011 ,  4J002AC061 ,  4J002AC071 ,  4J002AC091 ,  4J002BB151 ,  4J002BB181 ,  4J002BC051 ,  4J002BD001 ,  4J002BD121 ,  4J002BD171 ,  4J002BF021 ,  4J002BF031 ,  4J002BG041 ,  4J002BG042 ,  4J002BG102 ,  4J002CD051 ,  4J002CK021 ,  4J002CN002 ,  4J002CP031 ,  4J002FD142 ,  4J002GQ00 ,  5D021CC17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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