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J-GLOBAL ID：201202108826086710   Reference number：12A1395650

X線光電子分光法によるSiO₂/SiC界面層の組成分析

Author (5)： HIJIKATA YASUTO (埼玉大 工) ,  IIDA TAKESHI (埼玉大 工) ,  YAGUCHI HIROYUKI (埼玉大 工) ,  YOSHIKAWA MASAHITO (原研) ,  YOSHIDA SADAFUMI (埼玉大 工)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 61st  Issue： 1  Page： 341  Publication year： Sep. 03, 2000 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： X線光電子分光法 ,  SiO2 ,  SiC ,  界面層 ,  組成分析