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J-GLOBAL ID：201202206097678043   Reference number：12A0478465

Response of semiconductor devices to radiation.

放射線による半導体デバイスへの影響

Author (1)： OSHIMA TAKESHI (日本原子力研究開発機構)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 81  Issue： 3  Page： 216-219  Publication year： Mar. 10, 2012 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor device ,  *cosmic ray ,  *radioactive ray ,  solar cell ,  LSI ,  logic circuit ,  *radiation damage ,  displacement damage ,  solar proton ,  heavy ion ,  electron ,  *spacecraft ,  *flying object
Semi thesaurus term： *space craft ,  Single Event Effects (phenomenon) ,  *space radiation ,  semiconductor element ,  radiation damage

JST classification (5)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Radiation protection in general  (MB02010O) ,  Space crafts  (QK08000Y) ,  Solic-state devices in general  (NC03010Z)

Reference (16)：

• SIMPSON, J. A. Ann. Rev. Nucl. Part. Sci. 1983, 33, 323
• WILSON, J. W. Radiat. Meas. 1999, 30, 316
• HOLMES-SIEDLE, A. Handbook of radiation effect. 2002
• NAKAMURA, T. Terrestrial Neutron-Induced Soft Errors in Advanced Memory Devices. 2008
• YANAGAWA, Y. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2006, 53, 3575

Terms in the title (2)： 放射線 ,  半導体デバイス