Art

J-GLOBAL ID：201202208683253178   Reference number：12A1617744

Characterization of Sol-Gel-Derived Crystalline ZrO₂-Y₂O₃ Thin Films

ゾル-ゲル-誘導結晶質ZrO₂-Y₂O₃薄膜のキャラクタリゼーション

Author (2)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ.) ,  NISHIDE Toshikazu (Nihon Univ.)
Material： 日本大学工学部紀要  (Journal of the College of Engineering, Nihon University)
Volume： 54  Issue： 1  Page： 21-27  Publication year： Sep. 25, 2012 
JST Material Number： G0810A  ISSN： 1343-2885  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  *sol-gel process ,  electroceramics ,  thin film growth ,  crystal growth ,  firing (heat treatment) ,  characterization ,  CMOS structure ,  *dielectric material ,  *dielectric thin film ,  zirconium oxide ,  yttrium oxide ,  thin film condenser ,  current-voltage characteristic ,  capacitance-voltage characteristic ,  MOS structure

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (6)： ゾル-ゲル ,  誘導 ,  ZrO2 ,  Y2O3 ,  薄膜 ,  キャラクタリゼーション