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J-GLOBAL ID：201202210371396138   Reference number：12A0601173

新開発GaN HEMTを用いたインバータ回路

Author (8)： TOYODA GENKI ,  OKAMOTO MASAYUKI ,  HIRAKI EIJI ,  TANAKA TOSHIHIKO ,  HASHIZUME TAMOTSU (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  HASHIZUME TAMOTSU (JST-CREST) ,  KACHI TETSU (豊田中研) ,  KACHI TETSU (JST-CREST)
Material： 電気学会全国大会講演論文集  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan)
Volume： 2012  Issue： 4  Page： 259  Publication year： Mar. 05, 2012 
JST Material Number： S0653A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *HEMT ,  *inverter

JST classification (1)： Power converters  (NB08030B)

Terms in the title (4)： 開発 ,  GaN ,  HEMT ,  インバータ回路