Art

J-GLOBAL ID：201202214179630955   Reference number：12A0040783

Comparison of boron diffusion in silicon during shallow p⁺/n junction formation by non-melt excimer and green laser annealing

エキシマおよびグリーンレーザのノンメルトレーザアニーリングによる浅いp⁺/n接合形成時のボロン拡散の比較

Author (4)： AID Siti Rahmah (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  MATSUMOTO Satoru (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  FUSE Genshu (SEN Corp., Tokyo, JPN) ,  SAKURAGI Susumu (Sumitomo Heavy Ind. Ltd., Kanagawa, JPN)
Material： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A.)
Volume： 208  Issue： 12  Page： 2772-2777  Publication year： Dec. 2011 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *PN junction ,  *Germanium ,  *visible laser ,  *laser annealing ,  *boron ,  *Diffusion ,  *ion implantation ,  *excimer laser ,  RTA ,  annealing (heat treatment) ,  crystallization ,  depth ,  pulse method ,  pulse duration ,  stress field ,  substrate (plate) ,  wafer ,  silicon ,  amorphization ,  short channel effect ,  suppression and control ,  green laser ,  penetration depth ,  Si wafer
Semi thesaurus term： non-melt laser annealing ,  preamorphization implantation ,  short channel effect ,  Si wafer ,  anneal ,  Boron

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Terms in the title (5)： エキシマ ,  グリーン ,  レーザ ,  ボロン ,  拡散