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J-GLOBAL ID：201202215030941040   Reference number：12A1306389

Strong atomic ordering in Gd-doped GaN

GdドープGaNにおける強い原子秩序

Author (6)： ISHIMARU Manabu (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  HIGASHI Kotaro (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  HASEGAWA Shigehiko (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  ASAHI Hajime (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  SATO Kazuhisa (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN) ,  KONNO Toyohiko J. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 101  Issue： 10  Page： 101912-101912-4  Publication year： Sep. 03, 2012 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  doping ,  gadolinium ,  compound semiconductor ,  magnetic semiconductor ,  magnetic thin film ,  semiconductor thin film ,  *wurtzite type crystal ,  superlattice ,  ordered phase ,  chemical composition ,  gadolinium compound ,  plasma ,  *MBE growth
Semi thesaurus term： RF plasma ,  *plasma-assisted MBE grown ,  diluted magnetic semiconductor

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (4)： Gd ,  ドープ ,  GaN ,  原子