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J-GLOBAL ID：201202217229431494   Reference number：12A0586059

r面サファイア加工基板上{11-22}GaN成長における転位ブロッキング

Author (4)： FURUYA HIROSHI (トクヤマ) ,  FURUYA HIROSHI (山口大 大学院) ,  OKADA NARIHITO (山口大 大学院) ,  TADATOMO KAZUYUKI (山口大 大学院)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 59th  Page： ROMBUNNO.15P-F11-6  Publication year： Feb. 29, 2012 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *substrate (plate) ,  *gallium nitride ,  *thin film growth ,  *dislocation(crystal) ,  blocking effect ,  nonpolarity ,  dislocation density ,  light emitting diode ,  side wall ,  selective growth ,  photolithography ,  RIE ,  MOCVD ,  buffer layer ,  facet ,  flatness (property) ,  smoothness ,  cathodoluminescence ,  asymmetry ,  *sapphire substrate ,  growing temperature ,  *lattice defect
Semi thesaurus term： stripe geometry

JST classification (3)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： サファイア ,  GaN ,  成長 ,  転位 ,  ブロッキング