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J-GLOBAL ID：201202218897842893   Reference number：12A0417100

Compensation-Dependent Carrier Transport of Al-Doped p-Type 4H-SiC

Alドープp型4H-SiCにおける補償依存性に輸送について

Author (8)： KOIZUMI Atsushi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  IWAMOTO Naoya (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  IWAMOTO Naoya (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  ONODA Shinobu (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  OHSHIMA Takeshi (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  UCHIDA Kazuo (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  NOZAKI Shinji (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
Material： Materials Science Forum  (Mater Sci Forum)
Volume： 679/680  Page： 201-204  Publication year： 2011 
JST Material Number： D0716B  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： Al ,  ドープ ,  4H-SiC ,  補償 ,  依存性 ,  輸送