Art

J-GLOBAL ID：201202220002346629   Reference number：12A1059439

Forward and reverse bias dependence of radiative recombination efficiency in green (In,Ga)N quantum well diodes

緑色(In,Ga)N量子井戸ダイオードにおける放射再結合効率の順方向および逆バイアス依存

Author (6)： SOEJIMA K. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  HORIGUCHI M. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  ONO K. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  JIMI H. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  SATAKE A. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  FUJIWARA K. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
Material： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E. Low-Dimensional Systems & Nanostructures)
Volume： 44  Issue： 7-8  Page： 1278-1281  Publication year： Apr. 2012 
JST Material Number： W1066A  ISSN： 1386-9477  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： 緑色 ,  Ga ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  放射再結合 ,  順 ,  バイアス