Art

J-GLOBAL ID：201202226299693290   Reference number：12A1438601

原子状水素援用MBEによる2次元GaAsナノディスクアレイのGaAs/AlGaAsキャップ層再成長

Author (13)： KAIZU TOSHIYUKI (東大 先端科学技研セ) ,  KAIZU TOSHIYUKI (JST-CREST) ,  TAMURA YOSUKE (東北大 流体科研) ,  TAMURA YOSUKE (JST-CREST) ,  IGARASHI MAKOTO (東北大 流体科研) ,  IGARASHI MAKOTO (JST-CREST) ,  HU W. (東北大 流体科研) ,  HU W. (JST-CREST) ,  SAMUKAWA SEIJI (東北大 流体科研) ,  SAMUKAWA SEIJI (東北大 WPI-AIMR) ,  SAMUKAWA SEIJI (JST-CREST) ,  OKADA YOSHITAKA (東大 先端科学技研セ) ,  OKADA YOSHITAKA (JST-CREST)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.11P-J-13  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nanostructure ,  quantum dot ,  array ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *gallium arsenide ,  protective film ,  *MBE growth ,  solar cell ,  *photoluminescence ,  surface structure ,  atom ,  irradiation ,  red shift ,  *aluminum gallium arsenide
Semi thesaurus term： *cap-layer ,  *nanodisk ,  hydrogen atom ,  surface morphology

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Solar cell  (NC03084O) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (10)： 原子状水素 ,  援用 ,  MBE ,  2次元 ,  GaAs ,  ナノディスク ,  アレイ ,  AlGaAs ,  キャップ層 ,  再成長