Art

J-GLOBAL ID：201202233623039813   Reference number：12A1767991

Characterization of InSb quantum wells with atomic layer deposited gate dielectrics

原子層堆積ゲート絶縁体を用いたInSb量子井戸の特性評価

Author (7)： UDDIN M. M. (Dep. of Physics, Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8578, JPN) ,  LIU H. W. (ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN) ,  YANG K. F. (ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN) ,  NAGASE K. (ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN) ,  MISHIMA T. D. (Homer L. Dodge Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Oklahoma, 440 West Brooks, Norman, Oklahoma 73019-2061, USA) ,  SANTOS M. B. (Homer L. Dodge Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Oklahoma, 440 West Brooks, Norman, Oklahoma 73019-2061, USA) ,  HIRAYAMA Y. (Dep. of Physics, Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8578, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 101  Issue： 23  Page： 233503-233503-4  Publication year： Dec. 03, 2012 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,  oxide film ,  *indium antimonide ,  *quantum well ,  aluminum oxide ,  transport phenomenon ,  magnetic reluctance ,  Schroedinger equation ,  Poisson equation ,  compound semiconductor ,  gate dielectric film
Semi thesaurus term： gate dielectric ,  ALD ,  magnetotransport

JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (5)： 原子層堆積 ,  ゲート絶縁体 ,  InSb ,  量子井戸 ,  特性評価