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J-GLOBAL ID：201202236153568600   Reference number：12A0587213

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長のためのIr(100)/MgOへの低エネルギー炭素イオン照射

Author (6)： ITANI TSUKASA (大阪大 大学院工学研究科) ,  ITANI TSUKASA (富士通研) ,  YAMAZAKI KAZUTOSHI (富士通研) ,  ITO TOMOKO (大阪大 大学院工学研究科) ,  KARAHASHI KAZUHIRO (大阪大 大学院工学研究科) ,  HAMAGUCHI SATOSHI (大阪大 大学院工学研究科)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 59th  Page： ROMBUNNO.18A-F3-4  Publication year： Feb. 29, 2012 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Diamond ,  *heteroepitaxy ,  *ion irradiation ,  ion ,  substrate (plate) ,  Iridium ,  magnesium oxide ,  X-ray photoelectron spectrum ,  Rutherford back scattering ,  thin film ,  diamond film ,  carbon ion ,  low energy ion ,  *ore ,  *precious stone

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 成長 ,  Ir ,  MgO ,  低エネルギー ,  炭素イオン