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J-GLOBAL ID：201202238423074594   Reference number：12A0582078

Device-Quality β-Ga₂O₃ Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy

オゾン分子線エピタキシで作ったデバイス-品質β-Ga₂O₃エピタクシー膜

Author (6)： SASAKI Kohei (Tamura Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  VILLORA Encarnacion G. (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  SHIMAMURA Kiyoshi (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Co., Ltd., Saitama, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 5  Issue： 3  Page： 035502.1-035502.3  Publication year： Mar. 25, 2012 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Ozone ,  *MBE growth ,  *gallium oxide ,  epitaxy ,  substrate (plate) ,  growth rate ,  Antimony ,  doping ,  concentration (ratio)

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (18)：

• TIPPINS, H. H. Phys. Rev. 1965, 140, A316
• GELLER, S. J. Chem. Phys. 1960, 33, 676
• BERMUDEZ, V. M. Chem. Phys. 2006, 323, 193
• HIGASHIWAKI, M. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 013504
• UEDA, N. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 3561

Terms in the title (3)： オゾン ,  分子線エピタキシ ,  エピタクシー膜