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J-GLOBAL ID：201202239083238690   Reference number：12A1485749

Breakdown Characteristics of 12-20kV-class 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures

接合ターミネーション構造を改善した12~20kV級4H-SiC PiNダイオードの絶縁破壊特性

Author (4)： NIWA Hiroki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FENG Gan (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 24th  Page： 381-384  Publication year： 2012 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *PIN diode ,  silicon carbide ,  voltage ,  termination ,  distribution ,  current-voltage characteristic ,  leakage current ,  *dielectric breakdown ,  breakdown voltage ,  distribution of electric field
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  termination

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (5)： ターミネーション ,  4H-SiC ,  PINダイオード ,  絶縁 ,  破壊特性