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J-GLOBAL ID：201202239601722267   Reference number：12A0853535

Translation from Schottky Barrier to Atomic Bridging-Type Surface Photovoltages in Cr-Aqueous-Solution-Rinsed Si(001) Wafers

Cr水溶液で洗ったSi(001)ウェハにおけるSchottky障壁から原子架橋型表面光起電への移行

Author (2)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  SANADA Yuji (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 51  Issue： 5,Issue 1  Page： 055702.1-055702.5  Publication year： May. 25, 2012 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Schottky barrier ,  substrate (plate) ,  silicon ,  wafer ,  N-type semiconductor ,  hydroxide ,  *chromium compound ,  *thermal oxidation ,  *network ,  optical pumping ,  *photovoltage ,  X-ray photoelectron spectroscopy

JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Reference (26)：

• 1) H. C. Gatos and J. Lagowski: J. Vac. Sci. Technol. 10 (1973) 130.
• 2) R. S. Nakhmanson: Solid-State Electron. 18 (1975) 617.
• 3) E. Kamieniecki: J. Vac. Sci. Technol. 20 (1982) 811.
• 4) C. Munakata, S. Nishimatsu, N. Honma, and K. Yagi: Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) 1451.
• 5) C. Munakata and S. Nishimatsu: Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) 807.

Terms in the title (8)： Cr ,  水溶液 ,  Si ,  ウェハ ,  Schottky障壁 ,  原子 ,  架橋 ,  移行