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J-GLOBAL ID：201202245212379565   Reference number：12A0592111

Electronic Structure of the Buried Interface Between an Organic Semiconductor, N,N′-Bis(3-methylphenyl)-N,N′-Diphenylbenzidine (TPD), and Metal Surfaces

有機半導体のN,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジン(TPD)と金属表面との埋込み界面の電子構造

Author (5)： YOSHIDA Hiroyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YOSHIDA Hiroyuki (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  ITO Eisuke (RIKEN, Saitama, JPN) ,  HARA Masahiko (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SATO Naoki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (J Nanoscience Nanotechnology)
Volume： 12  Issue： 1  Page： 494-498  Publication year： Jan. 2012 
JST Material Number： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *organic semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  *metallic thin film ,  *interface (surface) ,  *electronic structure ,  interposition ,  energy level ,  Gold ,  Silver ,  Aluminum ,  Calcium ,  work function ,  polycrystal ,  vacuum deposition ,  data analysis ,  monomolecular layer ,  core level

JST classification (2)： Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Substance index (1)： TPD

Terms in the title (7)： 有機半導体 ,  ビス ,  TPD ,  金属表面 ,  埋込み ,  界面 ,  電子構造