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J-GLOBAL ID：201202249863965760   Reference number：12A1547889

High-speed and reliable domain wall motion device: Material design for embedded memory and logic application

高速および信頼性のある磁壁移動素子 内蔵記憶装置および論理回路用の材料設計

Author (23)： FUKAMI S. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  YAMANOUCHI M. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KOYAMA T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  UEDA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YOSHIMURA Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIM K.-J. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHIBA D. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHIBA D. (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  HONJO H. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SAKIMURA N. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  NEBASHI R. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KATO Y. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  TSUJI Y. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  MORIOKA A. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KINOSHITA K. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  MIURA S. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI T. (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  TANIGAWA H. (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  IKEDA S. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SUGIBAYASHI T. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KASAI N. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  ONO T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OHNO H. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2012  Page： 61-62  Publication year： 2012 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *logic circuit ,  *memory (computer) ,  material design ,  anomalous Hall effect ,  Hall device ,  functional device ,  reliability (property)
Semi thesaurus term： domain wall motion device ,  素子 ,  embedded memory

JST classification (2)： Memory units  (JC04060F) ,  Logic circuits  (NC05070B)

Terms in the title (4)： 磁壁移動 ,  記憶装置 ,  論理回路 ,  材料設計