Art

J-GLOBAL ID：201202251005675553   Reference number：12A0666926

Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices

GaN系デバイスの機械的転写のための剥離層となる層状窒化ホウ素

Author (4)： KOBAYASHI Yasuyuki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  KUMAKURA Kazuhide (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  AKASAKA Tetsuya (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMOTO Toshiki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 484  Issue： 7393  Page： 223-227  Publication year： Apr. 12, 2012 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *boron nitride ,  lamella ,  *transcription ,  layer ,  exfoliation ,  buffer layer ,  face ,  substrate (plate) ,  sapphire ,  *multiple quantum well ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  indium compound ,  shear plane ,  aluminum gallium nitride ,  gallium indium nitride ,  ore ,  precious stone
Semi thesaurus term： 剥離層 ,  aluminium gallium nitride ,  gallium indium nitride

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： GaN ,  転写 ,  剥離層 ,  層状 ,  窒化ホウ素