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J-GLOBAL ID：201202252929964388   Reference number：12A1327960

Thermal quenching of defect photoluminescence and recombination rates of electron-hole pairs in a-Si:H

欠陥光ルミネセンスの熱焼鈍及びa-Si:Hにおける電子正孔対の再結合速度

Author (4)： OGIHARA C. (Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN) ,  INAGAKI Y. (Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN) ,  TAKETA A. (Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN) ,  MORIGAKI K. (Dep. of Electrical and Digital-System Engineering, Hiroshima Inst. of Technol., Miyake, Saeki-ku, Hiroshima 731-5193 ...)
Material： Journal of Non-Crystalline Solids  (J Non-Cryst Solid)
Volume： 358  Issue： 17  Page： 2004-2006  Publication year： Sep. 01, 2012 
JST Material Number： D0642A  ISSN： 0022-3093  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoluminescence ,  *electron-hole pair ,  *recombination(connection) ,  *amorphous silicon ,  *hydride ,  RTA ,  chemical vapor deposition ,  *solar cell ,  *semiconductor thin film ,  vibrational spectroscopy ,  *lattice defect ,  light pulse ,  temperature fluctuation ,  temperature dependence ,  electron-phonon interaction
Semi thesaurus term： recombination rate ,  electron-phonon coupling ,  non-radiative recombination ,  radiative recombination

JST classification (4)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Solar cell  (NC03084O) ,  Luminescence of inorganic compounds  (BM08093J) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： 欠陥 ,  光ルミネセンス ,  焼鈍 ,  Si ,  電子正孔対 ,  再結合速度