Art

J-GLOBAL ID：201202260406036200   Reference number：12A1013889

Formation of dot arrays with a pitch of 20 nm × 20 nm for patterned media using 30 keV EB drawing on thin calixarene resist

20nm×20nmピッチのドット配列の形成;薄いカリックスアレーンのレジストについて30keVのEB描画を用いたパターン形成媒質用の20nm

Author (5)： BIN MOHAMAD Zulfakri (Gunma Univ., Kiryu) ,  SHIRAI Masumi (Gunma Univ., Kiryu) ,  SONE Hayato ,  HOSAKA Sumio ,  KODERA Masatoshi
Material： Nanotechnology
Volume： 19  Issue： 2  Page： 025301-1-4  Publication year： 2008 
JST Material Number： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electron beam lithography ,  *resist ,  pattern formation ,  dependence ,  pitch (machine element) ,  *halftone dot ,  *sequence and arrangement ,  density ,  *calixarene ,  dense ,  thickness dependency
Semi thesaurus term： *calixarene ,  thickness dependency

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： ピッチ ,  ドット ,  カリックスアレーン ,  レジスト ,  EB ,  描画 ,  パターン形成 ,  媒質