Art

J-GLOBAL ID：201202261052783572   Reference number：12A0093810

水素終端処理によるPt/n-Siショットキー障壁フォトダイオードの紫外域受光感度の改善

Author (4)： ITO KAZUO (群馬大) ,  TANABE SHOGO (群馬大) ,  KATO HIDENORI (群馬大) ,  NOGUCHI KATSUYA (群馬大)
Material： 群馬大学アドバンスト・テクノロジー高度研究センター年報  (Annual Report of GU-ATEC)
Issue： 15  Page： 14-15  Publication year： Nov. 2011 
JST Material Number： L6814A  Document type： Year Book
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Schottky barrier diode ,  *photodiode ,  *ultraviolet radiation ,  quantum efficiency ,  *silicon ,  semiconductor ,  *dangling bond ,  end group ,  Hydrogen ,  *sensitivity (ratio) ,  Platinum ,  Gold ,  metallic thin film ,  sputtered deposition ,  *hydrogen terminated

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (6)： 水素終端 ,  Pt ,  Si ,  ショットキー障壁 ,  フォトダイオード ,  感度