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J-GLOBAL ID：201202269173448160   Reference number：12A1012857

Observation of the Si(111)7×7 atomic structure using non-contact scanning nonlinear dielectric microscopy

非接触走査型非線形誘電率顕微鏡法を用いたSi(111)7×7原子構造の観察

Author (3)： HIROSE R. (Tohoku Univ., Sendai) ,  OHARA K. (Tohoku Univ., Sendai) ,  CHO Y. (Tohoku Univ., Sendai)
Material： Nanotechnology
Volume： 18  Issue： 8  Page： 5 PP.  Publication year： 2007 
JST Material Number： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *atomic structure ,  ultra high vacuum ,  *scanning probe microscope ,  *topography ,  silicon ,  conductor material ,  electrical measurement
Semi thesaurus term： *scanning nonlinear dielectric microscope ,  tunnel current ,  *surface topography ,  capacitance measurement

JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (5)： 非接触 ,  走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  Si ,  原子構造 ,  観察