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J-GLOBAL ID：201202271314197829   Reference number：12A1438638

MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長

Author (7)： JIN R. (埼玉大 理工) ,  YAGI SHUHEI (埼玉大 理工) ,  HIJIKATA YASUTO (埼玉大 理工) ,  KUBOYA SHIGEYUKI (東大) ,  ONABE KENTARO (東大) ,  KATAYAMA RYUJI (東北大 金属材料研) ,  YAGUCHI HIROYUKI (埼玉大 理工)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.12P-PB11-16  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MBE growth ,  *gallium arsenide ,  *Erbium ,  *displacement (replacement) ,  solid solution ,  substrate (plate) ,  *crystal growth ,  X-Ray Diffraction ,  secondary ion mass spectrometry ,  *rocking curve ,  *FWHM ,  *epitaxy ,  zincblende type crystal ,  compound semiconductor
Semi thesaurus term： mixed crystal

JST classification (2)： Crystal structure of other inorganic compounds  (BK07030J) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (4)： MBE ,  GaAs ,  混晶 ,  成長