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J-GLOBAL ID：201202283155796447   Reference number：12A1584207

Mechanism behind Improved Apparent Field-Effect Mobility in Pentacene Thin-Film Transistors with Thin Molybdenum Trioxide Layer

薄い三酸化モリブデン層を用いたペンタセン薄膜トランジスタにおける改良した見かけの電界効果移動度の背後にあるメカニズム

Author (7)： MINAGAWA Masahiro (Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata, JPN) ,  SATO Yasuo (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  TAKAHASHI Akira (Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata, JPN) ,  BABA Akira (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  SHINBO Kazunari (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  KATO Keizo (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  KANEKO Futao (Niigata Univ., Niigata, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 51  Issue： 10,Issue 1  Page： 101601.1-101601.5  Publication year： Oct. 25, 2012 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  *organic semiconductor ,  *molybdenum oxide ,  *FET ,  carrier mobility ,  charge transfer complex ,  polyacene ,  molybdenum(VI) oxide
Semi thesaurus term： molybdenum trioxide ,  organic field-effect transistor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Pentacene

Reference (20)：

• 1) A. Tsumura, H Koezuka, and T. Ando: Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 1210.
• 2) K. Kudo, D. X Wang, M. hzuka, S. Kuniyoshi, and K. Tanaka: Thin Solid Films 331 (1998) 51.
• 3) K. Kudo, D. X. Wang, M. hzuka, S. Kuniyoshi, and K. Tanaka. Synth. Met. 111-112 (2000) 11.
• 4) C. D. Dimitrakopoulos and P R. L. Malenfant: Adv. Mater. 14 (2002) 99.
• 5) Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, and T. N. Jackson: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 606.

Terms in the title (5)： 三酸化モリブデン ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  電界効果移動度 ,  メカニズム