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J-GLOBAL ID：201202295754770934   Reference number：12A0543239

KFM observation of individual dopant potentials and electron charging

個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測

Author (7)： NOWAK Roland (静岡大 電子工研) ,  NOWAK Roland (Warsaw Univ. of Technol., Warsaw) ,  ANWAR Miftahul (静岡大 電子工研) ,  MORARU Daniel (静岡大 電子工研) ,  MIZUNO Takeshi (静岡大 電子工研) ,  JABLONSKI Ryszard (Warsaw Univ. of Technol., Warsaw) ,  TABE Michiharu (静岡大 電子工研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 111  Issue： 426(SDM2011 159-175)  Page： 13-18  Publication year： Jan. 31, 2012 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *dopant ,  *surface potential ,  *force microscope ,  Kelvin method ,  SOI structure ,  *FET ,  *single electron tunnel effect ,  *electrification (static charge) ,  ultrathin film ,  *silicon ,  nanostructure ,  electric potential distribution ,  carrier injection ,  low temperature ,  donor ,  electron capture ,  room temperature ,  Kelvin probe force microscope ,  electron injection

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 電子 ,  帯電 ,  観測