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J-GLOBAL ID：201202297004466365   Reference number：12A1115375

Investigation of polysilsesquioxane as a gate dielectric material for organic field-effect transistors

有機電界効果トランジスタのためのゲート誘電材料としてのポリシルセスキオキサンの研究

Author (8)： KAWAMURA M. (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  NAKAHARA Yoshio (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  OHSE Mitsuhiro (Konishi Chemical Ind. Co., Ltd., 3-4-77 Kozaika, Wakayama 641-0007, JPN) ,  KUMEI Maki (Konishi Chemical Ind. Co., Ltd., 3-4-77 Kozaika, Wakayama 641-0007, JPN) ,  UNO K. (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  SAKAMOTO Hidefumi (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  KIMURA Keiichi (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  TANAKA Ichiro (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 101  Issue： 5  Page： 053311-053311-4  Publication year： Jul. 30, 2012 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *polysilsesquioxane ,  copolymer ,  *MISFET ,  carrier mobility ,  *FET ,  polyacene
Semi thesaurus term： *insulated gate field effect transistors ,  *organic field-effect transistor

JST classification (3)： Electronic properties in general  (BM01000S) ,  Electric conduction in organic compounds  (BM03045F) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (3)： Octaphenylsilsesquioxane ,  Octamethylsilsesquioxane ,  Pentacene

Terms in the title (5)： 有機電界効果トランジスタ ,  ゲート ,  誘電材料 ,  ポリシルセスキオキサン ,  研究