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J-GLOBAL ID：201202297279198000   Reference number：12A0543237

Deterministic-doped Silicon Devices and Their Quantum Transport

Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象

Author (7)： SHINADA TAKAHIRO (早稲田大 高等研) ,  HORI MASAHIRO (早稲田大) ,  GUAGLIARDO Filipo (ミラノ工科大) ,  ONO YUKINORI (NTT 物性科学基礎研) ,  KUMAGAI KUNINORI (早稲田大) ,  TANII TAKASHI (早稲田大) ,  PRATI Enrico (イタリア学術研究会議)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 111  Issue： 426(SDM2011 159-175)  Page： 1-5  Publication year： Jan. 31, 2012 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： doping ,  *ion implantation ,  *dopant ,  silicon ,  *transport phenomenon ,  phosphorus ,  donor ,  *single electron tunnel effect ,  *Hubbard model ,  quantum fluctuation ,  position control ,  short channel effect ,  current-voltage characteristic ,  bias ,  secondary electron emission
Semi thesaurus term： 決定論的ドーピング ,  quantum transport ,  body biasing

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (1)： 量子輸送現象