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J-GLOBAL ID：201202299255903201   Reference number：12A1437119

SiF_x⁺イオン照射によるSi,Si₃N₄およびSiO₂エッチング反応解析

Author (3)： ITO TOMOKO (阪大 院 原子分子イオン制御理工セ) ,  KARAHASHI KAZUHIRO (阪大 院 原子分子イオン制御理工セ) ,  HAMAGUCHI SATOSHI (阪大 院 原子分子イオン制御理工セ)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.13A-E3-10  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma etching ,  silicon ,  silicon nitride ,  silicon dioxide ,  ion irradiation ,  polysilicon ,  anion ,  fluorine ,  Faraday cup ,  silicon fluoride ,  fluoride ion
Semi thesaurus term： エッチング収率 ,  *エッチング反応 ,  fluorine ion

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： イオン照射 ,  Si ,  Si3N4 ,  SiO2 ,  エッチング反応 ,  解析