Pat
J-GLOBAL ID：201203002403061186
太陽電池
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：
野河 信太郎
, 秋山 雅則
, 甲斐 伸二
, 金子 裕輔
, 稲本 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011115876
Publication number (International publication number)：2012244108
Application date： May. 24, 2011
Publication date： Dec. 10, 2012
Summary：
【課題】本発明は、p型およびn型半導体領域へ効率よくキャリアを取り出すことができる超格子構造を有する太陽電池を提供する。【解決手段】本発明の太陽電池は、p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれ、かつ、量子層および障壁層が複数回交互に積層された超格子半導体層とを備えた太陽電池であって、前記超格子半導体層は、前記量子層の伝導帯側の量子準位によりミニバンドが形成されるように積層された積層構造を有し、前記ミニバンドの下端のエネルギー準位は、前記障壁層の伝導帯下端のエネルギー準位より低く、前記ミニバンドの上端のエネルギー準位は、前記障壁層の伝導帯下端のエネルギー準位より室温における熱エネルギーkT(k:ボルツマン定数、T:絶対温度)の2倍分だけ低いエネルギー準位よりも高いエネルギー準位であることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれ、かつ、量子層および障壁層が複数回交互に積層された超格子半導体層とを備えた太陽電池であって、
前記超格子半導体層は、前記量子層の伝導帯側の量子準位によりミニバンドが形成されるように積層された積層構造を有し、
前記ミニバンドの下端のエネルギー準位は、前記障壁層の伝導帯下端のエネルギー準位より低く、
前記ミニバンドの上端のエネルギー準位は、前記障壁層の伝導帯下端のエネルギー準位より室温における熱エネルギーkT(k:ボルツマン定数、T:絶対温度)の2倍分だけ低いエネルギー準位よりも高いエネルギー準位であることを特徴とする太陽電池。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (9)：
5F151AA08
, 5F151AA09
, 5F151AA10
, 5F151CB08
, 5F151CB21
, 5F151DA03
, 5F151DA04
, 5F151DA13
, 5F151FA06
Cited by examiner (1)
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太陽電池
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-020833
Applicant：株式会社日立製作所
Article cited by the Patent：
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