電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：廣田浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011061420
Publication number (International publication number)：2012199317
Application date： Mar. 18, 2011
Publication date： Oct. 18, 2012
Summary：

【課題】低コストで、後工程にて形成される上層の塗布性に優れ、かつ高信頼性を示す電界効果型トランジスタなどの提供。【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁層上に形成され、かつ、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を被覆するように形成された保護層とを有し、前記保護層が、フッ素樹脂を含有し、前記保護層形成後の前記保護層の水に対する接触角が、75°以上90°以下である電界効果型トランジスタである。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁層上に形成され、かつ、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を被覆するように形成された保護層とを有し、前記保護層が、フッ素樹脂を含有し、前記保護層形成後の前記保護層の水に対する接触角が、75°以上90°以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/136 , G02F 1/167 , G02F 1/19 , H01L 51/50 , H05B 33/22

FI (8)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L29/78 613Z , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F1/19 , H05B33/14 A , H05B33/22 Z

F-Term (86)：

2H092JA26 , 2H092JA43 , 2H092JB57 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KB24 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA19 , 2H092NA17 , 2K101AA04 , 2K101CA01 , 2K101EB51 , 2K101EC08 , 2K101ED13 , 2K101EE02 , 2K101EG41 , 2K101EG71 , 2K101EH02 , 2K101EH03 , 2K101EH04 , 2K101EH12 , 2K101EJ21 , 2K101EK33 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB06 , 3K107BB08 , 3K107CC25 , 3K107CC33 , 3K107CC45 , 3K107DD47X , 3K107DD47Y , 3K107DD89 , 3K107DD90 , 3K107DD96 , 3K107EE03 , 3K107FF09 , 3K107GG06 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-126320 Applicant：凸版印刷株式会社

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