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J-GLOBAL ID：200903065393840560

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 石▲崎▼ 守 ,  伊藤 学 ,  今 真人 ,  喜納 修 ,  松原 亮平
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Agent (1)： 野田 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006126320
Publication number (International publication number)：2007299913
Application date： Apr. 28, 2006
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

【課題】 安定性に優れ、高移動度であり、フレキシブルディスプレイの画素部や駆動部に適した薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 絶縁基板上にゲート電極を有し、それらの上に形成されたゲート絶縁膜の上に、ドレイン電極、ソース電極が配置されており、ソース電極とドレイン電極の間隙を含むように酸化物半導体パターンが配置されている薄膜トランジスタ装置であって、該酸化物半導体パターン上に、封止層を有する。封止層が無機絶縁膜であり、例えば酸化窒化シリコンである。または、フッ素化樹脂である。また、少なくとも画素電極上には封止層を有しない。さらに封止層上に、画素電極部に開口を有する層間絶縁膜を有し、層間絶縁膜上に、開口部で画素電極と接続された上部画素電極を有する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたドレイン電極、ソース電極とを有し、少なくとも前記ドレイン電極とソース電極の間隙部分に酸化物半導体パターンが配置されている薄膜トランジスタであって、 前記酸化物半導体パターン上に封止層を設けた、 ことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136

FI (4)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  G02F1/1368

F-Term (60)：

2H092GA17 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092JB64 ,  2H092JB69 ,  2H092KA06 ,  2H092KB24 ,  2H092MA01 ,  2H092MA05 ,  2H092NA21 ,  2H092PA01 ,  5F110AA17 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-274333   Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
• トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-308806   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-217738   Applicant：三菱化学株式会社
• 半導体装置の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-096593   Applicant：凸版印刷株式会社
• 表示装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-109613   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブ駆動型有機EL表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-061505   Applicant：出光興産株式会社