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J-GLOBAL ID：201203012809473324

薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置

Inventor： 小野 雅司 ,  高田 真宏 ,  田中 淳 ,  鈴木 真之
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (2)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010200570
Publication number (International publication number)：2012059860
Application date： Sep. 08, 2010
Publication date： Mar. 22, 2012
Summary：

【課題】低温で作製可能であり、高い電界効果移動度を示す薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】酸化物半導体層からなる活性層を備えた薄膜トランジスタにおいて、活性層が、ゲート電極側から膜厚方向に第1の電子親和力χ1を有する第1の領域A1、第1の電子親和力χ1よりも小さい第2の電子親和力χ2を有する第2の領域A2とを含み、第1の領域A1を井戸層、第2の領域A2とゲート絶縁膜とを障壁層とする井戸型ポテンシャルを構成するものとする。ここで、活性層を、a(In2O3)・b(Ga2O3)・c(ZnO)から成る酸化物半導体層からなるものとし、第2の領域A2のb/(a+b)を第1の領域A1のb/(a+b)よりも大きくする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に、活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、 前記活性層が、前記ゲート電極側に前記ゲート絶縁膜を介して配置された、第1の電子親和力を有する第1の領域と、前記ゲート電極に遠い側に配置された、前記第1の電子親和力よりも小さい第2の電子親和力を有する第2の領域とを含み、 前記活性層の膜厚方向において、前記第1の領域を井戸層、前記第2の領域と前記ゲート絶縁膜とを障壁層とする井戸型ポテンシャルが構成されており、 前記活性層が、a(In2O3)・b(Ga2O3)・c(ZnO)から成る酸化物半導体層であり(ここでa、b、cは、それぞれa≧0、b≧0、c≧0、かつa+b≠0、b+c≠0、c+a≠0である。)、 前記第2の領域のb/(a+b)が前記第1の領域のb/(a+b)よりも大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L27/14 C ,  H01L27/14 K

F-Term (59)：

4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA15 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB23 ,  4M118GA10 ,  4M118HA27 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110GG60 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-239543   Applicant：富士フイルム株式会社

Cited by examiner (1)

• 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-239543   Applicant：富士フイルム株式会社