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J-GLOBAL ID：201003029204184938

薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置

Inventor：
多田 宏

About 多田 宏


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008239543
Publication number (International publication number)：2010073881
Application date： Sep. 18, 2008
Publication date： Apr. 02, 2010
Summary：
【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ON/OFF比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板1上に、少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、活性層4-1、ソース電極5-1及びドレイン電極5-2を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層4-1と前記ソース電極5-1及び前記ドレイン電極5-2の少なくとも一方との間に抵抗層4-2を有し、前記活性層がIn,Zn及びGaより成る群から選ばれる少なくとも1種を含む酸化物を含有し、前記抵抗層が少なくともGaを含有する酸化物を含有し、前記抵抗層の酸化物のGa含有率が前記活性層の酸化物のGa含有率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層を有し、前記活性層がIn,Zn及びGaより成る群から選ばれる少なくとも1種を含む酸化物を含有し、前記抵抗層が少なくともGaを含有する酸化物を含有し、前記抵抗層の酸化物のGa含有率が前記活性層の酸化物のGa含有率より高い薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/13
FI (3)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  G02F1/13 505
F-Term (59)：
2H088EA02 ,  2H088FA29 ,  2H088HA08 ,  2H088MA20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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