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J-GLOBAL ID：201203013794289480
II-III-N半導体ナノ粒子および当該II-III-N半導体ナノ粒子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011165929
Publication number (International publication number)：2012031057
Application date： Jul. 28, 2011
Publication date： Feb. 16, 2012
Summary：
【課題】新規のII-III-N半導体ナノ粒子および当該II-III-N半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、窒化物半導体ナノ粒子(例えば、ナノ結晶)を提供する。当該窒化物半導体ナノ粒子は、新規の組成を有する新規のII-III-N化合物半導体(例えば、ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN、または、ZnAlGaInN)によって形成されている。このようなタイプの化合物半導体ナノ粒子は、従来、知られていない。本発明は、また、II-III-N半導体ナノ粒子のサブグループであるII-N半導体ナノ結晶(例えば、ZnNナノ結晶)も開示している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
一般式II-Nまたは一般式II-III-Nにて示される第1の化合物にて形成されている半導体ナノ粒子であって、
上記IIは、周期表のII族に属する1つ以上の元素であり、上記IIIは、周期表のIII族に属する1つ以上の元素である半導体ナノ粒子。
IPC (4)：
C01G 15/00
, C01B 21/06
, C01G 9/00
, H01L 33/50
C01G15/00 D
, C01G15/00 B
, C01G15/00 Z
, C01B21/06 A
, C01G9/00 B
, H01L33/00 410
4G047AA01
, 4G047AB02
, 4G047AC03
, 4G047AD03
, 5F041AA11
, 5F041EE25
