Pat
J-GLOBAL ID:200903001102427957
III族窒化物p型半導体の製造方法およびIII族窒化物半導体発光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 小林 良博
, 西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004319164
Publication number (International publication number):2005159341
Application date: Nov. 02, 2004
Publication date: Jun. 16, 2005
Summary:
【課題】 十分なキャリア濃度を有し、かつ、結晶ダメージの少ない表面を有するIII族窒化物p型半導体の効率的な製造方法を提供すること。【解決手段】 H2ガスおよび/またはNH3ガス含有雰囲気中でp型ドーパント含有III族窒化物半導体を1000°C以上で成長させた後、降温しつつ、且つ800°Cより高い温度でH2ガスおよびNH3ガスを不活性ガスに置換することを特徴とするIII族窒化物p型半導体の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
H2ガスおよび/またはNH3ガスを用いるIII族窒化物p型半導体の製造方法において、H2ガスおよび/またはNH3ガス含有雰囲気中でp型ドーパント含有III族窒化物半導体を1000°C以上で成長させた後、降温しつつ、且つ800°C以下とならない温度でH2ガスおよびNH3ガスを不活性ガスに置換することを特徴とするIII族窒化物p型半導体の製造方法。
IPC (3):
H01L21/205
, H01L33/00
, H01S5/323
FI (3):
H01L21/205
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
F-Term (35):
5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA34
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AC19
, 5F045AD12
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045CA10
, 5F045DA53
, 5F045EK03
, 5F045EK27
, 5F045HA16
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP06
, 5F173AQ13
, 5F173AQ20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
-
特開平2-257679号公報
-
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-357046
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
3族窒化物半導体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-286048
Applicant:豊田合成株式会社
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Cited by examiner (1)
-
窒化物半導体チップの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-358557
Applicant:シャープ株式会社
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