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J-GLOBAL ID:201203030165237428

グラフェン膜の製造方法およびグラフェン膜の層数を均一化する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  黒川 弘朗
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010182088
Publication number (International publication number):2012041219
Application date: Aug. 17, 2010
Publication date: Mar. 01, 2012
Summary:
【課題】グラフェン膜の層数をより均一化する方法を提供する。【解決手段】グラフェン膜104を構成する層のうちSiC基板100を部分的に覆う層を、水素ガス雰囲気中で所定の温度に加熱することによって、そのエッジから選択的にエッチングする。これにより、グラフェン膜104の層のうちSiC基板100を全体的に覆うものだけを残しておくことができるので、グラフェン膜104の層数を均一化することができる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
基板上に複数の層から成るグラフェン膜を形成する第1の工程と、 前記グラフェン膜を水素ガス雰囲気中で所定の温度に加熱してエッチングする第2の工程と を備えることを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
IPC (2):
C01B 31/02 ,  B82B 1/00
FI (2):
C01B31/02 101Z ,  B82B1/00
F-Term (12):
4G146AA01 ,  4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146BA08 ,  4G146BC03 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146CA08 ,  4G146CA09 ,  4G146CB11 ,  4G146CB15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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