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J-GLOBAL ID：200903058615866214

グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法

Inventor： 廣瀬 真一 ,  岩井 大介 ,  大淵 真理
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007207369
Publication number (International publication number)：2009043939
Application date： Aug. 09, 2007
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：

【課題】 グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法に関し、グラフェンのチャネル幅、方向性を制御して半導体的性質を有するグラフェン或いは金属的性質を有するグラフェンを任意に形成する。【解決手段】 グラフェン1の延在方向の幅及びグラフェン1の延在方向の結晶方向を、走査型プローブ顕微鏡により規定する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

グラフェンの延在方向の幅及びグラフェンの延在方向の結晶方向を、走査型プローブ顕微鏡により規定することを特徴とするグラフェンを用いた電子デバイスの製造方法。

IPC (10)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  C01B 31/02

FI (7)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/88 M ,  H01L29/48 D ,  C01B31/02 101F

F-Term (51)：

4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146CA03 ,  4G146CA11 ,  4G146CA15 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH00 ,  5F033PP00 ,  5F033PP06 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-144905   Applicant：富士通株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (1)

• グラフェントランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-040775   Applicant：富士通株式会社