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J-GLOBAL ID：201203031576945071

水素センサー及びその製造方法

Inventor： イ、ウ ヨン ,  イ、ジュン ミン ,  イ、ユン ヨン
Applicant, Patent owner： インダストリー-アカデミック コーペレイション ファウンデイション, ヨンセイ ユニバーシティ
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011547833
Publication number (International publication number)：2012507037
Application date： Dec. 03, 2010
Publication date： Mar. 22, 2012
Summary：

本発明に従い新規な水素センサーの製造方法が提供されるが、該方法は、弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、上記弾性基板に引張力を印加して、上記基板表面に形成された上記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、を含み、上記薄膜への上記ナノギャップは、上記引張力の印加時には上記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると上記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、 前記弾性基板に引張力を印加して、前記基板表面に形成された前記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、 を含み、 前記薄膜への前記ナノギャップは、前記引張力の印加時には前記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると前記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする水素センサーの製造方法。

IPC (1)：

G01N 27/12

FI (3)：

G01N27/12 M ,  G01N27/12 B ,  G01N27/12 C

F-Term (25)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA03 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046DC13 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046FB00 ,  2G046FE02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE09 ,  2G046FE12 ,  2G046FE15 ,  2G046FE21 ,  2G046FE25 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE44 ,  2G046FE46 ,  2G046FE48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 水素ガス漏れ検知器及び水素ガス漏れ制御装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-278310   Applicant：松下電工株式会社
• マグネシウム・ニオブ合金薄膜を用いた水素センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-146288   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Nanogaps for Sensing