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J-GLOBAL ID:200903072807187267
マグネシウム・ニオブ合金薄膜を用いた水素センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
須藤 政彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007146288
Publication number (International publication number):2008298650
Application date: May. 31, 2007
Publication date: Dec. 11, 2008
Summary:
【課題】マグネシウム・ニオブ合金薄膜からなる水素センサ材料、該材料を用いた水素センサ及び水素検知方法等を提供する。【解決手段】マグネシウム・ニオブ合金薄膜を用いた水素センサ材料であって、マグネシウム・ニオブ合金薄膜の組成が、MgNbx(0.1<x<0.5)であり、上記薄膜の上に、触媒層が形成されているか、あるいは水素を透過する材料上に触媒層が形成され、その上にマグネシウム合金薄膜が形成されており、基板自身が保護層になり、20°C付近の室温で水素と反応して電気抵抗及び光学的性質が変化する性質を有する、ことからなる水素センサ材料、上記水素センサ材料からなる水素センサ及び該水素センサによる水素濃度計測方法並びに水素検知方法。【効果】低温作動型の水素センサを提供できる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
マグネシウム・ニオブ合金薄膜を用いた水素センサ材料であって、(1)マグネシウム・ニオブ合金薄膜の組成が、MgNbx(0.1<x<0.5)である、(2)上記薄膜の上に、触媒層が形成されている、あるいは水素を透過する材料上に触媒層が形成され、その上にマグネシウム合金薄膜が形成されており、基板自身が保護層になる、(3)室温で水素と反応して電気抵抗及び光学的性質が変化する性質を有する、ことを特徴とする水素センサ材料。
IPC (3):
G01N 27/12
, G01N 27/04
, G01N 21/75
FI (3):
G01N27/12 C
, G01N27/04 D
, G01N21/75 Z
F-Term (20):
2G046AA05
, 2G046BA01
, 2G046BB04
, 2G046EA04
, 2G046EB01
, 2G054AA01
, 2G054AB07
, 2G054CA04
, 2G054EA04
, 2G054EB01
, 2G054FA33
, 2G054GA05
, 2G060AA02
, 2G060AB03
, 2G060AE19
, 2G060AF07
, 2G060AG03
, 2G060BB08
, 2G060JA01
, 2G060KA01
Patent cited by the Patent:
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