下層組成物および下層を像形成する方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人センダ国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011213653
Publication number (International publication number)：2012078830
Application date： Sep. 29, 2011
Publication date： Apr. 19, 2012
Summary：

【課題】表面特性をリソグラフィ的に変え、その上の自己組織化層のパターン形成方法の提供。【解決手段】酸分解可能基、アタッチメント基、および官能基を含む酸感受性コポリマーと光酸発生剤とを含む下層220aの部分を照射し、前記酸分解可能基は、下層の照射部分において光酸発生剤から生じた酸と反応して、下層220aの表面に極性領域を形成する。前記極性領域はパターンの形状および寸法を有している。下層220aの表面上に自己組織化層250bを形成する。前記自己組織化層250bはブロックコポリマーを含み、前記ブロックコポリマーは、極性領域に対して親和性を有し、極性領域に対して整列する第1のドメインを形成する第1のブロックと、前記第1のドメインの隣に整列する第2のドメインを形成する第2のブロックとを有している。次に第1のドメインもしくは第2のドメインのいずれかを除去して、下にある下層220aの部分を露出させる。【選択図】図1I

Claim (excerpt)：

酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーと、光酸発生剤とを含む下層の一部分を照射する工程、前記アタッチメント基は基体の親水性表面に共有結合されているか、架橋されてポリマー間架橋を形成しているか、または基体の表面に共有結合されかつ架橋されてポリマー間架橋を形成しており、前記酸分解可能基は下層の照射部分で光酸発生剤から発生した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成しており、前記極性領域はパターンの形状および寸法を有している; 下層の表面上に自己組織化層を形成する工程、前記自己組織化層は極性領域に対する親和性を有する第1のブロックと、極性領域に対する親和性が第1のブロックよりも低い第2のブロックとを有するブロックコポリマーを含み、第1のブロックは極性領域に対して整列する第1のドメインを形成し、および第2のブロックは第1のドメインの隣に整列する第2のドメインを形成する;並びに第1のもしくは第2のドメインのいずれかを除去して下にある下層の部分を露出させる工程; を含むパターンを形成する方法。

IPC (6)：

G03F 7/38 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , C08F 220/10 , C08F 212/08

FI (7)：

G03F7/38 512 , G03F7/004 521 , G03F7/039 601 , G03F7/38 501 , H01L21/30 502R , C08F220/10 , C08F212/08

F-Term (41)：

2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096DA01 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA02 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 2H096JA04 , 2H096LA02 , 2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF36P , 2H125AH12 , 2H125AJ13Y , 2H125AJ44Y , 2H125AJ64Y , 2H125AM13N , 2H125AM23N , 2H125AM25N , 2H125AN05P , 2H125AN45N , 2H125AN45P , 2H125AN67P , 2H125BA21P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC03 , 2H125CC07 , 4J100AB02R , 4J100AL03P , 4J100AL03S , 4J100AL09Q , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100FA19 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

下地剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-205875 Applicant：東京応化工業株式会社, 独立行政法人理化学研究所

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