ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010205890
Publication number (International publication number)：2012061531
Application date： Sep. 14, 2010
Publication date： Mar. 29, 2012
Summary：

【課題】ブロックコポリマーの相分離を利用して、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造することができるブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法の提供。【解決手段】基板1上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層2を形成する工程(1)と、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層3を前記下地剤2からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層3を相分離する工程(2)と、前記ブロックコポリマーを含む層3のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相3aを選択的に除去する工程(3)と、を有することを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程(1)と、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を前記下地剤からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離する工程(2)と、前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程(3)と、を有し、前記樹脂成分全体の構成単位のうち20モル%〜80モル%が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であることを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。

IPC (6)：

B82B 3/00 , G11B 5/84 , G03F 7/40 , G03F 7/038 , H01L 21/027 , B05D 5/12

FI (6)：

B82B3/00 , G11B5/84 Z , G03F7/40 511 , G03F7/038 503 , H01L21/30 502D , B05D5/12 Z

F-Term (44)：

2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096EA02 , 2H096GA03 , 2H096HA05 , 2H125AE03P , 2H125AE06P , 2H125AE13P , 2H125AE15P , 2H125AF52P , 2H125AM13P , 2H125AM15P , 2H125AM16P , 2H125AM23P , 2H125CA12 , 2H125CB06 , 2H125CC01 , 2H125CC11 , 2H125FA05 , 4D075BB41Z , 4D075BB45Z , 4D075CA35 , 4D075CA36 , 4D075CA44 , 4D075CB33 , 4D075DA06 , 4D075DA23 , 4D075DB11 , 4D075DB14 , 4D075DC21 , 4D075EA05 , 4D075EA07 , 4D075EA45 , 4D075EB20 , 4D075EB22 , 4D075EB23 , 4D075EB33 , 5D112AA02 , 5D112AA18 , 5D112BA10 , 5F046AA20 , 5F046AA28 , 5F146AA20 , 5F146AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

パターン形成方法及びモールド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-211745 Applicant：日本電信電話株式会社
高分子超薄膜および高分子超薄膜パターン、並びに、パターン形成用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-230774 Applicant：富士フイルム株式会社

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