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J-GLOBAL ID:201203049016753440

磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 永井 冬紀 ,  渡辺 隆男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012067089
Publication number (International publication number):2012151494
Application date: Mar. 23, 2012
Publication date: Aug. 09, 2012
Summary:
【課題】従来のTMR素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。【解決手段】磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたCo,Fe,Bを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として(001)結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有し、前記強磁性体層が結晶化していることに特徴がある。【選択図】図11
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上に形成されたCo、FeおよびBを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として(001)結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有する磁気抵抗素子であって、 前記強磁性体層が結晶化していることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (7):
H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16
FI (7):
H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16
F-Term (27):
4M119AA15 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  5E049AA01 ,  5E049AC01 ,  5E049BA11 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01 ,  5E049HC01 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BE02 ,  5F092BE03 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent:
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