磁気抵抗効果素子およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：田宮寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004259280
Publication number (International publication number)：2006080116
Application date： Sep. 07, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】高いMR比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】この磁気抵抗効果素子(TMR素子10)は、一対の強磁性層とそれらの中間に位置するバリア層とから成る積層構造(TMR素子部12)を含むものであり、少なくとも一方の上記強磁性層は、少なくともバリア層に接する部分がアモルファス物質状態を有し、上記バリア層は単結晶構造を有するMgO層である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一対の強磁性層とそれらの中間に位置するバリア層とから成る積層構造を含む磁気抵抗効果素子であって、少なくとも一方の前記強磁性層の少なくとも前記バリア層に接する部分がアモルファス状態であり、前記バリア層は単結晶構造を有するMgO層であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01L 43/10 , H01L 43/12 , H01L 27/105 , H01L 21/824

FI (6)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , G11B5/39 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L27/10 447

F-Term (6)：

5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-106926 Applicant：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-217108 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (5)

磁気センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-088231 Applicant：株式会社東芝
平坦化トンネル磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-121121 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団
トンネル接合素子のトンネル障壁層を処理する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-347960 Applicant：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.

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