半導体装置の作製方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011196867
Publication number (International publication number)：2012084860
Application date： Sep. 09, 2011
Publication date： Apr. 26, 2012
Summary：

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。さらには、種結晶として、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上の絶縁表面に形成された酸化物絶縁膜上に、スパッタリング法により、亜鉛を含む六方晶構造の結晶を有する種結晶を形成すると共に、前記種結晶を核として結晶成長させて、六方晶構造の結晶を有する結晶性酸化物半導体膜を形成し、前記結晶性酸化物半導体膜を加熱処理した後、前記加熱処理した結晶性酸化物半導体膜を選択的にエッチングし、前記選択的にエッチングされた結晶性酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、前記選択的にエッチングされた結晶性酸化物半導体膜及び前記一対の電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , G02F 1/134 , H05B 33/08 , H01L 51/50 , H01L 21/363

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627F , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H05B33/08 , H05B33/14 A , H01L21/363

F-Term (119)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JB41 , 2H092JB69 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA35 , 2H092NA21 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF17 , 3K107GG26 , 3K107GG28 , 3K107HH04 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN03 , 5F103RR08 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN77 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

Zn系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-317354 Applicant：信越半導体株式会社
特許第4415062号
半導体機器及びその製法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-540385 Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社

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