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J-GLOBAL ID:201203057088987341
熱アシスト集積ヘッド及び熱アシスト記録装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 渡辺 敏章
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010169422
Publication number (International publication number):2012033211
Application date: Jul. 28, 2010
Publication date: Feb. 16, 2012
Summary:
【課題】半導体レーザを搭載した熱アシスト集積ヘッドにおいて、安定な浮上を実現し、かつ波長変動による光パワー変動が起きにくくなるようにする。また、半導体レーザの温度上昇を抑制する。【解決手段】浮上スライダ5の側面、もしくは上面に半導体レーザ30を配置する。このとき半導体レーザ中のストライプ構造100の向きが、浮上スライダの浮上面に対し平行になるようにする。半導体レーザ内部にミラー101を形成し、活性層の面内方向に光路が曲がるようにする。半導体レーザから出射した光は、スライダ中に形成した導波路3を用いて近接場光発生素子に導く。浮上スライダの側面に半導体レーザを配置する場合は、導波路に入射した光が、近接場光発生素子に向かう方向に進むように、導波路3の途中に曲線部もしくはミラーを形成する。【選択図】図3
Claim (excerpt):
活性層を含む光増幅領域、及び2つの反射面により構成された共振器を有する半導体レーザと、
記録磁界を発生する磁極、近接場光発生素子、及び前記半導体レーザからの出射光を前記近接場光発生素子に導く導波路が設けられたスライダとを備え、
前記半導体レーザは、前記共振器内部において、前記活性層の膜面内方向に光路が屈曲しており、
前記半導体レーザの側面から出射した出射光が前記スライダに設けられた前記導波路に結合することを特徴とする熱アシスト集積ヘッド。
IPC (3):
G11B 5/31
, G11B 5/60
, G11B 5/02
FI (3):
G11B5/31 Z
, G11B5/60 P
, G11B5/02 T
F-Term (10):
5D033BB51
, 5D033CA00
, 5D042NA02
, 5D042PA01
, 5D042PA08
, 5D042QA10
, 5D042TA10
, 5D091AA10
, 5D091CC12
, 5D091DD03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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光素子集積ヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-163999
Applicant:株式会社日立製作所
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記録用ヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-233043
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体レーザ、浮上ヘッドおよびディスク装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-142030
Applicant:富士ゼロックス株式会社
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