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J-GLOBAL ID：201203057970299435

下層組成物および下層を像形成する方法

Inventor： ピーター・トレフォナス ,  フィリップ・デネ・フスタッド ,  シンシア・ピエール
Applicant, Patent owner： ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. ,  ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー
Agent (1)： 特許業務法人センダ国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011211852
Publication number (International publication number)：2012078828
Application date： Sep. 28, 2011
Publication date： Apr. 19, 2012
Summary：

【課題】表面極性をリソグラフィ的に変え、自己組織化層によるパターン形成方法の提供。【解決手段】光酸発生剤を含む感光層の一部分を照射し、発生した酸を隣の下層120aの部分に拡散させる工程。前記下層120aは酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーを含む。感光層は下層の表面上に配置されており、拡散させる工程は下層120aおよび感光層を加熱することを含み、下層120a中の酸感受性コポリマーの酸感受性基は拡散した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成し、前記極性領域はパターンの形状を有する。感光層は除去され、下層の表面上に自己組織化層150bを形成する工程。前記自己組織化層150bは極性領域に対する親和性を有するブロックと、極性領域に対する親和性が低いブロックとを有するブロックコポリマーを含む。第1もしくは第2のドメインのいずれかを除去し下層の部分を露出させる工程。【選択図】図1J

Claim (excerpt)：

光酸発生剤を含む感光層において当該感光層の一部分を照射することにより発生した酸を隣の下層の部分に拡散させる工程、 前記下層は酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーを含み、 前記アタッチメント基は基体の親水性表面に共有結合されているか、架橋されてポリマー間架橋を形成しているか、または基体の表面に共有結合されかつ架橋されてポリマー間架橋を形成しており、感光層は下層の表面上に配置されており、拡散させる工程は下層および感光層を加熱することを含み、下層中の酸感受性コポリマーの酸感受性基は拡散した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成し、前記極性領域はパターンの形状を有する; 感光層を除去する工程; 下層の表面上に自己組織化層を形成する工程、 前記自己組織化層は極性領域に対する親和性を有する第1のブロックと、極性領域に対する親和性が第1のブロックよりも低い第2のブロックとを有するブロックコポリマーを含み、 第1のブロックは極性領域に対して整列する第1のドメインを形成し、および第2のブロックは第1のドメインの隣に整列する第2のドメインを形成する;並びに 第1のもしくは第2のドメインのいずれかを除去して下にある下層の部分を露出させる工程; を含むパターンを形成する方法。

IPC (7)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/04

FI (8)：

G03F7/40 521 ,  G03F7/095 ,  G03F7/38 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/38 511 ,  G03F7/004 521 ,  H01L21/30 573 ,  C08F212/04

F-Term (55)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA02 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  2H125AH12 ,  2H125AJ13Y ,  2H125AJ44Y ,  2H125AJ64Y ,  2H125AM13N ,  2H125AM16N ,  2H125AM23N ,  2H125AM25N ,  2H125AN45N ,  2H125AN45P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC07 ,  2H125DA12 ,  4J100AB02P ,  4J100AB07Q ,  4J100AL03P ,  4J100AL03Q ,  4J100AL03S ,  4J100AL04Q ,  4J100AL04R ,  4J100AL05Q ,  4J100AL05R ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BC03R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA05 ,  4J100DA36 ,  4J100FA27 ,  4J100FA30 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38 ,  5F146NA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-276896   Applicant：キヤノン株式会社